【摘要】一種金屬氧化物半導體場效應晶體管保護電路,包括NMOS管及保護二極管,所述的保護二極管有兩個,該兩個二極管的陽極分別和NMOS管柵極以及襯底相連接,該兩個二極管的陰極相連。本發明保護了金屬氧化物半導體使其免受天線效應影響,同時防止對
【專利類型】外觀設計 【申請人】郭兆東 【申請人類型】個人 【申請人地址】香港高士打道111號東惠商業大廈17樓 【申請人地區】中國 【申請人城市】香港特別行政區 【申請號】CN90300552.2 【申請日】1990-04-10 【申請年份】1990 【公開公告號】CN3009577S 【公開公告日】1991-05-15 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN3009577S 【授權公告日】1991-05-15 【授權公告年份】1991.0 【發明人】郭兆東 【主權項內容】無 【當前權利人】郭兆東 【當前專利權人地址】香港高士打道111號東惠商業大廈17樓
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