【摘要】臭氧去除和分離催化劑及其它們的制備方法和 應用。本發明是關于一種去除和分離臭氧的催化劑，其 包括氧化銅和二氧化錳，并且以多孔陶瓷，直通式或 發泡陶瓷以及多孔纖維，如化纖、玻璃纖維以及海綿 等作載體。其特點是不加貴重金屬，因而價格便宜
【摘要】 一種硅半導體器件用硅片的缺陷控制工藝。該 工藝是將達到器件目標電阻率的硅單晶先用快中子 流照射，然后進行硅片加工，合格的硅片直接送入硅 器件制造的第一道熱工序，在高純氣氛的保護下，隨 爐升溫到該工序要求的溫度進行第一道熱工序，該工 序結束后，隨即完成了對硅片缺陷的控制。該工藝可 大大節省工時和能耗，提高成品率，改善器件電參數， 對N型、P型和重摻硅都適用。 搜索馬 克 數 據 網 【專利類型】發明申請 【申請人】河北工學院 【申請人類型】學校 【申請人地址】300130天津市紅橋區丁字沽一號路 【申請人地區】中國 【申請人城市】天津市 【申請人區縣】紅橋區 【申請號】CN90107176.5 【申請日】1990-08-20 【申請年份】1990 【公開公告號】CN1050792A 【公開公告日】1991-04-17 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1017487B 【授權公告日】1992-07-15 【授權公告年份】1992.0 【IPC分類號】H01L21/322; H01L21/324; C30B33/02; C30B33/04; C30B33/00; H01L21/02 【發明人】徐岳生; 張維連; 任丙彥; 鞠玉林; 李養賢; 梁金生 【主權項內容】1、一種硅半導體器件用硅片的缺陷控制工藝，工序是將達到器件目標電阻率的硅單晶進行硅片加工，再將合格的硅片清洗處理，然后進行熱退火，其特征在于：將達到器件目標電阻率的硅單晶先用通量為5×1014-1×1818n/cm2的快中子流照射2-15小時，然后進行硅片加工和清洗處理，合格的硅片直接送入硅器件制造的第一道熱工序，在高純氣氛的保護下，隨爐升溫到該工序要求的溫度進行第一道熱工序，第一道熱工序結束后，出爐自然冷卻，隨即完成了對硅半導體器件用硅片的缺陷控制。 【當前權利人】河北工學院 【當前專利權人地址】天津市紅橋區丁字沽一號路 【被引證次數】8.0 【被他引次數】8.0 【家族被引證次數】8.0
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