【專利類型】外觀設計【申請人】繳志異; 繳蕾【申請人類型】個人【申請人地址】100055北京市豐臺區蓮花池西里28排12號【申請人地區】中國【申請人城市】北京市【申請人區縣】豐臺區【申請號】CN91300363.8【申請日】1991-03-
【摘要】 一種液相外延等電子摻雜工藝，其特征是在電子 器件制造過程中先用生長源在一定溫度下，在襯底上 生長一層等電子摻雜層，然后再進行器件制造的外延 生長工藝。該工藝操作方便；可使報廢的高位錯密度 的砷化鎵襯底得到重新應用；使制造的電子器件性能 穩定，成品率高，成本低。 【專利類型】發明申請 【申請人】河北工學院 【申請人類型】學校 【申請人地址】300130天津市紅橋區丁字沽一號路 【申請人地區】中國 【申請人城市】天津市 【申請人區縣】紅橋區 【申請號】CN90109987.2 【申請日】1990-12-18 【申請年份】1990 【公開公告號】CN1052005A 【公開公告日】1991-06-05 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1017486B 【授權公告日】1992-07-15 【授權公告年份】1992.0 【IPC分類號】H01L21/208; C30B19/02; H01L21/22; C30B19/00; H01L21/02 【發明人】劉文杰; 陳諾夫 【主權項內容】1、一種液相外延等電子摻雜工藝，是將生長源加熱熔融，然后慢慢降溫，在襯底上生長一層外延層，其特征在于：在電子器件制造過程中先在襯底上進行等電子摻雜工藝，其工藝步驟是： ①將砷化鎵襯底和生長源送入有保護氣氛存在下的爐中升溫熔融； ②在800-900℃時熔煉生長源2-4小時； ③然后以0.2-1.5℃/分的速率降溫，當溫度降至800-700℃時，開始生長等電子摻雜層，生長時間為10-40分鐘； ④其后繼續生長制造器件所需要的外延層。 關注公眾號馬克數據網 【當前權利人】河北工學院 【當前專利權人地址】天津市紅橋區丁字沽一號路 【引證次數】3.0 【他引次數】3.0 【家族引證次數】3.0
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