【摘要】本實用新型是一種禽畜糞飼料化成為魚及禽畜 廉價飼料的擠壓成型裝置，也適用于其他膏糊狀物料 的成型。該裝置除傳動系統外，主要有一個裝有多根螺桿 的擠壓腔，膏糊狀物料進入料斗后，由于多根螺桿(左 旋螺桿與右旋螺桿依次相間排列)的左、右旋
【摘要】 本發明給出在氧化氣氛爐中生長高抗輻照氟化 鋇閃爍晶體的新技術。本發明的核心是防止和消除 在氧化氣氛下可能出現的氧化污染和水解。主要技 術有：制備氧離子高度凈化的高純BaF2原料；防止 水解和氧化作用的各項技術；如何使用生長氧化物單 晶的引下爐和鉑坩堝于氟化物晶體等。本發明由于 無需摻入Pb等有害雜質。所以制備的晶體抗輻照能 力強。并且投資省、成本低，宜于大批量生產大尺寸 優質BaF2閃爍晶體。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區長寧路865號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】長寧區 【申請號】CN90102828.2 【申請日】1990-03-31 【申請年份】1990 【公開公告號】CN1055208A 【公開公告日】1991-10-09 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1023240C 【授權公告日】1993-12-22 【授權公告年份】1993.0 【IPC分類號】C30B29/14; C30B15/00; C30B11/00; C30B11/02; C30B29/10; C30B29/12 【發明人】沈定中; 殷之文; 蘇偉堂; 潘志雷 【主權項內容】1、一種高抗輻照氟化鋇(BaF2)閃爍晶體的生長技術，其特征在于： 1.采用非真空坩鍋下降法； 2.采用以下技術； (1).原料制備 A.用高純鋇鹽和氫氟酸制備高純BaF2原料，雜質含量達10-6級； B.在140℃下脫水； C.制備料錠：在氟塑料密封模具中，用靜水壓壓制成錠； (2).鉑坩鍋制作與生長爐準備： A.鉑金坩鍋壁厚0.1--0.3mm； B.氧氣氛下降法生長爐，用硅鉬棒為發熱元件； C.爐底有輔助加熱器； (3).晶體生長： A.裝料：料錠裝入鉑坩鍋后，充入惰性氣體或含氟氣體，焊封坩鍋， B.生長條件： 熔料：高出熔點約50℃； 溫度梯度：20--30℃； 生長速率：0.8--1.6mm/小時； 降溫速率：20--30℃/小時。 【當前權利人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【當前專利權人地址】上海市長寧區長寧路865號 【統一社會信用代碼】12100000425006547H 【被引證次數】9.0 【被自引次數】4.0 【被他引次數】5.0 【家族被引證次數】9.0
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