【摘要】本發明涉及一種用聚四氟乙烯樹脂乳液作為涂 料修補搪瓷反應釜局部破損的方法。目前搪瓷反應 釜出現局部破損都是采用較復雜的工藝將反應釜的 搪瓷清除，再重新噴涂搪瓷，其返修費為新反應釜價 格的40％。本發明則只需將破損的局部部位進行清 理
【摘要】 高介電常數低介電損耗膜，屬于電氣行業中制作 電容器和絕緣材料的高分子聚合物共混薄膜材料。 該高分子共混材料由聚丙烯和丁腈橡膠(腈含量 26-35％)在混煉機中充分混合而制得。將制得的共 混物破碎后模壓或擠出壓延以及雙向拉伸制得各種 符合規格的薄膜，經測試該薄膜的介電常數高達 4.21，介電損耗低于3×10-3，且具有良好的加工性 能。用本發明的薄膜制成的電容器，其體積減小 54％。 搜索馬 克 數 據 網 【專利類型】發明申請 【申請人】同濟大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】200092上海市四平路1239號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】寶山區 【申請號】CN90102967.X 【申請日】1990-10-22 【申請年份】1990 【公開公告號】CN1050462A 【公開公告日】1991-04-03 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1016911B 【授權公告日】1992-06-03 【授權公告年份】1992.0 【IPC分類號】H01B3/30; H01B3/28; H01G4/20; H01B3/18; H01G4/018 【發明人】毛立鈞; 陳家華 【主權項內容】1、一種涉及高介電常數低介電損耗膜，其特征是：先將重量百分比為65-75%的聚丙烯去除雜質，除濕后加入混煉機中混煉10-15分鐘，然后把重量百分比為25-35%丁腈橡膠去除雜質，除濕，破膠后加入到混煉機中，充分混合8-10分鐘，混煉溫度為185-190℃，制得共混物，最后將該共混物破碎后，在190℃溫度下進行模壓或擠出壓延，以及雙向拉伸制得各種規格厚度的高介電常數低介電損耗膜。 【當前權利人】同濟大學 【當前專利權人地址】上海市四平路1239號 【統一社會信用代碼】12100000425006125J 【引證次數】3.0 【被引證次數】5.0 【他引次數】3.0 【被他引次數】5.0 【家族引證次數】3.0 【家族被引證次數】5.0
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