【摘要】本發明是涉及鋼鐵管件的一種連接工藝，它先將管件的端部分別加工成相互配合的內、外錐面，錐面上有承推凸緣，再在錐面處涂粘潔劑，然后對管件內錐面的外部加熱，管口相對、施加一定力實現對接。它連接可靠，能滿足管路連接的全部技術性能要求，不損害
【摘要】 本發明屬一種在半導體襯底表面選擇性生長金剛石膜的方法。本方法利用了在不同材料表面金剛石成核密度具有很大差異這一性質，實現了金剛石膜的選擇性生長。主要工藝過程為研磨，生長隔離膜，光刻，制備金剛石膜，化學腐蝕等。所制備的金剛石膜具有質量高，選擇性生長好，不破壞襯底等優點，而且制備參數易于控制，工藝簡單，成品率高。本方法制備的金剛石膜可應用于大規模集成電路，微波器件，光電器件等半導體器件的制備。 【專利類型】發明授權 【申請人】吉林大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】吉林省長春市朝陽區解放大路83號 【申請人地區】中國 【申請人城市】長春市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN89107565.8 【申請日】1989-09-29 【申請年份】1989 【公開公告號】CN1013965B 【公開公告日】1991-09-18 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1013965B 【授權公告日】1991-09-18 【授權公告年份】1991.0 【IPC分類號】C23C16/04; H01L21/31; C23C16/26; H01L21/02 【發明人】金曾孫; 于三; 呂憲義; 鄒廣田 【主權項內容】1.一種在半導體材料襯底表面選擇性生長金 剛石膜的方法，首先對襯底表面進行研磨，其特征 在于研磨之后，進行生長隔離膜、光刻、制備金剛 石膜、酸腐蝕等工藝過程， ——所說的生長隔離膜，是在研磨過的半導 體襯底表面生長另一種材料的薄膜，以便造成金剛 石成核密度隨材料不同而有差異的條件； ——所說的光刻是用光刻腐蝕法在襯底表面 的隔離膜上開出“窗口”，使需要生長金剛石膜的 部位裸露出研磨過的半導體襯底表面； ——所說的制備金剛石膜是以CH4和H2作原 料氣體用熱解化學氣相沉積法制備金剛石膜； ——所說的酸腐蝕，是在生長金剛石膜之后， 用酸溶液除去隔離膜及生長于其上的分立的金剛石 顆粒。 【當前權利人】吉林大學 【當前專利權人地址】吉林省長春市朝陽區解放大路83號 【統一社會信用代碼】121000004232040648 【家族被引證次數】4.0
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