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【摘要】 SiHCl3(三氯氫硅)是制備高純多晶硅的主要原料。以往SiHCl3的合成是采用HCl氣體通入到加熱的硅粉中來制備,用固定床反應時SiHCl3的產率只有60-70%。用沸騰床反應時可使SiHCl3的產率提高到80-90%,其余主要為SiCl4副產物。由于用SiCl4氫還原制備高純多晶硅時耗能較多,一般硅材料廠將SiCl4作為廢物排出,這除了使硅粉和HCl氣體的利用率低外,還嚴重地污染環境。本發明就是利用反應時排出的廢物SiCl4作為原料,再與HCl一起通入到加熱的硅粉中,通過調節SiCl4通入量的大小,來控制SiHCl3的收率,直至達到100%。本發明提出的方法簡單易行,凡生產硅材料的工廠或其它有SiCl4副產物排出的工廠均可利用。 來自馬-克-數-據-官網 【專利類型】發明授權 【申請人】張崇玖 【申請人類型】個人 【申請人地址】江蘇省南通市易家橋新村20號樓305號 【申請人地區】中國 【申請人城市】南通市 【申請人區縣】崇川區 【申請號】CN87100535.2 【申請日】1987-01-24 【申請年份】1987 【公開公告號】CN1011878B 【公開公告日】1991-03-06 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1011878B 【授權公告日】1991-03-06 【授權公告年份】1991.0 【IPC分類號】C01B33/107; C01B33/08 【發明人】張崇玖 【主權項內容】1.三氯氫硅(SiHCl3的合成方法,采用HCl氣 體通入到加熱的硅粉中來制備,本發明的特征是: 在通入HCl到加熱硅粉的同時,增加通入SiCl4, 由調節SiCl4的通入量來控制SiHCl3的收率。 來自:馬 克 團 隊 【當前權利人】張崇玖 【當前專利權人地址】江蘇省南通市易家橋新村20號樓305號 【被引證次數】1.0 【被他引次數】1.0 【家族被引證次數】7.0
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